Download Elektronische Bauelemente: Funktion, Grundschaltungen, by Daniel Thursz Distinguished Professor of Social Justice PDF

By Daniel Thursz Distinguished Professor of Social Justice Michael Reisch PH.D.

Dieses Buch fa t erstmals die physikalischen Grundlagen elektronischer Bauelemente, ihre Anwendung in der elektronischen Schaltungstechnik und ihre Modellierung f r die Zwecke der zunehmend bedeutsamen Schaltungssimulation zusammen. Es kann als Lehrbuch neben Vorlesungen und zum Selbststudium sowie als Nachschlagewerk verwendet werden. Damit wendet es sich sowohl an Studenten der Elektrotechnik an Fachhochschulen und Universit ten als auch an den in der Praxis t tigen Ingenieur. Das Werk bietet eine fundierte Einf hrung in die Grundlagen der Elektronik, zahlreiche praxisrelevante Beispielrechnungen sowie aktuelles Anwendungswissen.

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Bei hohen Frequenzen bewirkt er eine Abschwächung und Phasenverschiebung. Die nebenstehende Abbildung zeigt für einen Tiefpaß schematisch den Verlaufvon av im Bode-Diagramm. In dem bei tiefen Frequenzen vorliegenden Durchlaßbereich ist av ,:::; 0 dB; in dem bei hohen Frequenzen vorliegenden Sperrbereich erfolgt ein Abfall, der bei Tiefpaßnetzwerken aus konzentrierten Elementen durch eine Potenzfunktion gegeben ist. Gilt Av ~ f -m, so spricht man von einem Tiefpaß m-ter Ordnung; im Bode-Diagramm entspricht dies einer Geraden der Steigung - m·20 dB/dec.

Bzw. im Fall der Stromverstärkung A, (f) = I a1 (f) = 20 dB · log A, (f) . 26) Soll dagegen eine Lezstungsver-stiirkung in dB ausgedrückt werden H, so ist der Logarithmus der Leistungsverstärkung Ap(f) = P2 / H mit 10 dß zu multiplizieren. 27) I ap(f) = 10 dB ·log Ap(f) . I Dabei bezeichnen P 1 und P2 die Effektivwerte der vom System aufgenommenen bzw. abgegebenen Wirkleistung. Der Hintergrund für den gegenüber a" und a,. halbierten "Vorfaktor" von 10 dß ist, daß die Leistung proportional zum Quadrat von Spannungs- bzw.

8) oder aber Bipolartransistoren (vgl. Kap. 7) eingesetzt. \Veitere Einschränkungen resultieren aus der zulässigen Verlustleistung und den maximal zulässigen Spannungswerten; Leistungsbauteile wie Thyristoren oder Leistungstransistoren werden deshalb meist nicht integriert. Kapitel 1. Grundlagen 34 Die einzelnen Techniken weisen deutliche Unterschiede auf bzgl. Entwicklungskostcn, Packungsdichte, Gewicht, Abmessungen, Zuverlässigkeit, HF-Tauglichkeit etc. Welches die günstigste Technik für die Realisierung einer elektronischen Schaltung ist, hängt z.

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